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產品詳情
簡單介紹：
STPA1603C 愛德華磁懸浮渦輪分子泵
STPA1603C 愛德華磁懸浮渦輪分子泵
詳情介紹：
概述
小巧而的 Edwards STPA1603C 渦輪分子泵采用 Edwards 的轉子進行設計。它提供極高的吞吐量、高的性和的性能，滿足半導體制程的需要。其半機架的控制器和緊湊型設計可節省可觀的空間，而其的沉積減少系統提高了性和性能。STPA1603C 已經在新的 200 mm 刻蝕工具上得到了證明，也能夠滿足 300 mm 氧化物腐蝕制程的需要。
應用
金屬（鋁）、鎢和電介質（氧化物）以及多晶硅等離子刻蝕（氯化物、氟化物和溴化物）
電子回旋共振 (ECR) 刻蝕
薄膜沉積 CVD、PECVD、ECRCVD、MOCVD
濺射
離子注入源，射束線泵送端點站
MBE
擴散
光致抗蝕劑脫模
晶體/晶膜生長
晶片檢查
負載鎖真空腔
科學儀器：表面分析、質譜分析、電子顯微鏡
高能物理：射束線、加速器
放射線應用：融合系統、回旋
功能和優勢
的轉子設計
改進的性能
更高的氣體吞吐量
高度
免維護
可用于嚴苛制程
5 軸磁懸浮系統
無污染
低振動
防腐蝕
可用于嚴苛制程
使用壽命延長
緊湊型設計
占地面積小
半機架控制器
的控制器設計
自動調整
自行診斷功能
直流電機驅動
無電池運行
小巧而的 Edwards STPA1603C 渦輪分子泵采用 Edwards 的轉子進行設計。它提供極高的吞吐量、高的性和的性能，滿足半導體制程的需要。其半機架的控制器和緊湊型設計可節省可觀的空間，而其的沉積減少系統提高了性和性能。STPA1603C 已經在新的 200 mm 刻蝕工具上得到了證明，也能夠滿足 300 mm 氧化物腐蝕制程的需要。
應用
金屬（鋁）、鎢和電介質（氧化物）以及多晶硅等離子刻蝕（氯化物、氟化物和溴化物）
電子回旋共振 (ECR) 刻蝕
薄膜沉積 CVD、PECVD、ECRCVD、MOCVD
濺射
離子注入源，射束線泵送端點站
MBE
擴散
光致抗蝕劑脫模
晶體/晶膜生長
晶片檢查
負載鎖真空腔
科學儀器：表面分析、質譜分析、電子顯微鏡
高能物理：射束線、加速器
放射線應用：融合系統、回旋
功能和優勢
的轉子設計
改進的性能
更高的氣體吞吐量
高度
免維護
可用于嚴苛制程
5 軸磁懸浮系統
無污染
低振動
防腐蝕
可用于嚴苛制程
使用壽命延長
緊湊型設計
占地面積小
半機架控制器
的控制器設計
自動調整
自行診斷功能
直流電機驅動
無電池運行
數據
| 入口法蘭 | ISO200F |
| KF40 | |
| 吹掃口 | KF16 |
| 水冷卻接頭 | PT1/4 |
| 抽速 |
|
| N2 | 1600 ls-1 |
| H2 | 1200 ls-1 |
| 壓縮比 |
|
| N2 | >108 |
| H2 | >7 x 103 |
| 加熱時的極限壓力 | 10-7 Pa |
| 大允許前級壓力 | 266 Pa |
|
|
(2 Torr) |
| 大氮氣吞吐量 | 2500 sccm |
| 額定速度 | 36500 rpm |
| 啟動時間 | 7 分鐘 |
| 固定位置 | 任意 |
| 水冷卻流量 | 2 lmin-1 |
| 溫度 | 5-25 °C |
| 壓力 | 0.3 MPa |
| 的吹掃氣體流量 | 20 sccm |
| 輸入電壓 | 200 至 240 (± 10) V 交流 |
| 功耗 | 0.85 kVA |
| 泵重量 | 35 kg |
| 控制器重量 | 9 kg |
