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產品詳情
簡單介紹：
STPH301C 高性能愛德華磁懸浮渦輪分子泵大的制程靈活性
STPH301C 高性能愛德華磁懸浮渦輪分子泵任意方向操作
詳情介紹：
概述
Edwards 的高性能 STPH301C 渦輪分子泵是為嚴苛的半導體應用而設計的。這種泵經過實踐檢驗的性和的性能可以實現大的制程靈活性。STPH301C 已經由半導體和磁介質行業的大型設備制造商投入使用，并得到了。
應用
金屬（鋁）、鎢和電介質（氧化物）以及多晶硅等離子刻蝕（氯化物、氟化物和溴化物）
電子回旋共振 (ECR) 刻蝕
薄膜沉積 CVD、PECVD、ECRCVD、MOCVD
濺射
離子注入源，射束線泵送端點站
MBE
擴散
光致抗蝕劑脫模
晶體/晶膜生長
晶片檢查
負載鎖真空腔
科學儀器：表面分析、質譜分析、電子顯微鏡
高能物理：射束線、加速器
放射線應用：融合系統、回旋
功能和優勢
的轉子
更高的氣體吞吐量
大的制程靈活性
無油
低振動
高度
免維護
可用于嚴苛制程
使用壽命延長
的控制器設計
自動調整
自行診斷功能
直流電機驅動
無電池運行
緊湊型設計
占地面積小
半機架控制器
5 軸磁懸浮系統
無污染
少維護
Edwards 的高性能 STPH301C 渦輪分子泵是為嚴苛的半導體應用而設計的。這種泵經過實踐檢驗的性和的性能可以實現大的制程靈活性。STPH301C 已經由半導體和磁介質行業的大型設備制造商投入使用，并得到了。
應用
金屬（鋁）、鎢和電介質（氧化物）以及多晶硅等離子刻蝕（氯化物、氟化物和溴化物）
電子回旋共振 (ECR) 刻蝕
薄膜沉積 CVD、PECVD、ECRCVD、MOCVD
濺射
離子注入源，射束線泵送端點站
MBE
擴散
光致抗蝕劑脫模
晶體/晶膜生長
晶片檢查
負載鎖真空腔
科學儀器：表面分析、質譜分析、電子顯微鏡
高能物理：射束線、加速器
放射線應用：融合系統、回旋
功能和優勢
的轉子
更高的氣體吞吐量
大的制程靈活性
無油
低振動
高度
免維護
可用于嚴苛制程
使用壽命延長
的控制器設計
自動調整
自行診斷功能
直流電機驅動
無電池運行
緊湊型設計
占地面積小
半機架控制器
5 軸磁懸浮系統
無污染
少維護
任意方向操作
數據
| 入口法蘭 | ISO100K |
| KF40 | |
| 吹掃口 | KF10 |
| 水冷卻接頭 | PT1/4 |
| 抽速 |
|
| N2 | 300 ls-1 |
| H2 | 200 ls-1 |
| 壓縮比 |
|
| N2 | >108 |
| H2 | 103 |
| 加熱時的極限壓力 | 10-7 Pa |
|
|
(10-9 Torr) |
| 大連續壓力 | 660 Pa |
|
|
(5 Torr) |
| 大氮氣吞吐量 | 2500 sccm |
| 額定速度 | 48000 rpm |
| 啟動時間 | 4 分鐘 |
| 高入口法蘭溫度 | 120 °C |
| 輸入電壓 | 100 至 120 (± 10) V 交流或 |
|
|
200 至 240 (± 10) V 交流 |
| 功耗 | 0.6 kVA |
| 泵重量 | 15 kg |
| 控制器重量 | 9 kg |
